IT之家 3 月 19 日音信白丝 porn，据法媒 ECInews 报说念，欧洲先进 FD-SOI 中试线（本事试点线）姿色 FAMES 当地时间 18 日安靖告示对外公开搜集贪图接受 10nm、7nm FD-SOI 全忽地型绝缘体上硅工艺的芯片想象。

FAMES 姿色的互助员 Dominique Noguet 默示基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片展望将于 2027 年推出。该制程节点将接受 193nm ArFi DUV 光刻机，接受 SADP 自瞄准双重曝光完毕。

FAMES 中试线将提供用于先进 FD-SOI 节点的性能评估 PDK（IT之家注：工艺想象套件），另类图片激情以及用于测试想象的 MPW 多姿色晶圆用 PDK。

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除逻辑制程外，FAMES 中试线也温雅配套的片上镶嵌式 NVM 非易失性存储。FAMES 牵头次序国 CEA-Leti 参谋所已得手制得 OxRAM（氧化物基阻变存储器）样品，正在温雅 FRAM / FeFET（铁电存储器）和 MRAM（磁性存储器）。

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